进入20世纪90年代以后,随着我国高新技术的快速发展,计算机工业对大规模集成电路、液晶显示器的需求大量增加;随着新型能源的发展,我国大力开拓了多晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池的生产;此外,新型电光源、光电半导体器件(GaAs、InP、AlGaAs)、光纤通讯器件也获得迅猛发展,在上述高新产品的生产中,都需要大量高纯气体,以制造出性能可靠的各种器件。
大规模集成电路
化学气相沉淀:SiH4,NH3,O2,N2O,TEOS(四乙氧基硅)
化学刻蚀:CF4,SF6,NF3,Cl2,CCl,BCl3,KrF,ArF,HBr,HCl
化学掺杂:BF3,B2H6,PH3,AsH3
液晶屏
化学气相沉淀:SiH4,SiNx
化学刻蚀:SF6,HCl,Cl2
太阳能电池
化学气相沉淀:SiH4,NH3,NF3
扩散、刻蚀:POCl3,O2,CF4
光电半导体
化学气相沉淀:AsH3,PH3,NH3,N2,H2
化学刻蚀:BCl3,Cl2
光导纤维
化学气相沉淀:SiH4,SiCl4,D2,GeCl4
化学刻蚀:CF4,KrF,ArF,Cl2,SF6